Influence of the source/drain doping region on the reconfigurability of BESOI MOSFET (2023)
- Authors:
- USP affiliated authors: MARTINO, JOÃO ANTONIO - EP ; RAMOS, DANIEL AUGUSTO - EP ; SASAKI, KATIA REGINA AKEMI - EP ; RANGEL, RICARDO CARDOSO - EP ; DUARTE, PEDRO HENRIQUE - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.1109/SBMicro60499.2023.10302644
- Subjects: DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS; TRANSISTORES; MICROELETRÔNICA
- Agências de fomento:
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: IEEE
- Publisher place: [Piscataway, N.J.]
- Date published: 2023
- Source:
- Título do periódico: SBMicro
- Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology and Devices
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
RAMOS, Daniel Augusto et al. Influence of the source/drain doping region on the reconfigurability of BESOI MOSFET. 2023, Anais.. [Piscataway, N.J.]: IEEE, 2023. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302644. Acesso em: 29 maio 2024. -
APA
Ramos, D. A., Sasaki, K. R. A., Rangel, R. C., Duarte, P. H., & Martino, J. A. (2023). Influence of the source/drain doping region on the reconfigurability of BESOI MOSFET. In SBMicro. [Piscataway, N.J.]: IEEE. doi:10.1109/SBMicro60499.2023.10302644 -
NLM
Ramos DA, Sasaki KRA, Rangel RC, Duarte PH, Martino JA. Influence of the source/drain doping region on the reconfigurability of BESOI MOSFET [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 maio 29 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302644 -
Vancouver
Ramos DA, Sasaki KRA, Rangel RC, Duarte PH, Martino JA. Influence of the source/drain doping region on the reconfigurability of BESOI MOSFET [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 maio 29 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302644 - Back gate bias influence on BESOI ISFET sensitivity
- ISFET fabrication and characterization for hydrogen peroxide sensing
- An enzymatic glucose biosensor using the BESOI MOSFET
- Fabrication and electrical characterization of ISFET for H2O2 sensing
- Optimizing the front and back biases for the best sense margin and retention time in UTBOX FBRAM
- Enhanced dynamic threshold voltage UTBB SOI nMOSFETs
- Extensionless UTBB FDSOI Devices in Enhanced Dynamic Threshold Mode under Low Power Point of View
- Impact of the extension region concentration on the UTBOX IT-FBRAM
- Experimental and Simulation of 1T-DRAM Trend with the Gate Length on UTBOX Devices
- Propostas de melhorias de desempenho de célula de memória dinâmica utilizando um único transistor UTBOX SOI
Informações sobre o DOI: 10.1109/SBMicro60499.2023.10302644 (Fonte: oaDOI API)
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| Tipo | Nome | Link | |
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 | Influence of the source_d... |
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