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Artigo de periodico
ISFET fabrication and characterization for hydrogen peroxide sensing (2023)
Duarte, Pedro Henrique; Rangel, Ricardo Cardoso; Ramos, Daniel Augusto; Yojo, Leonardo Shimizu; Mori, Carlos Augusto Bergfeld; Sasaki, Katia Regina Akemi; Agopian, Paula Ghedini Der ; Martino, João Antonio
Source: Journal of Integrated Circuits and Systems. Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, SOLUÇÕES
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ABNT
DUARTE, Pedro Henrique et al. ISFET fabrication and characterization for hydrogen peroxide sensing. Journal of Integrated Circuits and Systems, v. 18, n. 1, p. 1-4, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.29292/jics.v18i1.646. Acesso em: 11 jun. 2024.
APA
Duarte, P. H., Rangel, R. C., Ramos, D. A., Yojo, L. S., Mori, C. A. B., Sasaki, K. R. A., et al. (2023). ISFET fabrication and characterization for hydrogen peroxide sensing. Journal of Integrated Circuits and Systems, 18( 1), 1-4. doi:10.29292/jics.v18i1.646
NLM
Duarte PH, Rangel RC, Ramos DA, Yojo LS, Mori CAB, Sasaki KRA, Agopian PGD, Martino JA. ISFET fabrication and characterization for hydrogen peroxide sensing [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2023 ; 18( 1): 1-4.[citado 2024 jun. 11 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v18i1.646
Vancouver
Duarte PH, Rangel RC, Ramos DA, Yojo LS, Mori CAB, Sasaki KRA, Agopian PGD, Martino JA. ISFET fabrication and characterization for hydrogen peroxide sensing [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2023 ; 18( 1): 1-4.[citado 2024 jun. 11 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v18i1.646
Tese (Doutorado)
Projeto e fabricação de um BESOI Túnel-FET como elemento biossensor (2023)
Mori, Carlos Augusto Bergfeld; Martino, João Antonio (Orientador) ; Der Agopian, Paula Ghedini (coorient)
Unidade: EP
Assunto: TRANSISTORES
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ABNT
MORI, Carlos Augusto Bergfeld. Projeto e fabricação de um BESOI Túnel-FET como elemento biossensor. 2023. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2023. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-30112023-083404/. Acesso em: 11 jun. 2024.
APA
Mori, C. A. B. (2023). Projeto e fabricação de um BESOI Túnel-FET como elemento biossensor (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-30112023-083404/
NLM
Mori CAB. Projeto e fabricação de um BESOI Túnel-FET como elemento biossensor [Internet]. 2023 ;[citado 2024 jun. 11 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-30112023-083404/
Vancouver
Mori CAB. Projeto e fabricação de um BESOI Túnel-FET como elemento biossensor [Internet]. 2023 ;[citado 2024 jun. 11 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-30112023-083404/
Artigo de periodico
Signal to noise ratio in nanoscale bioFETs (2022)
Mori, Carlos Augusto Bergfeld; Martens, Koen; Simoen, Eddy ; Van Dorpe, Pol; Agopian, Paula Ghedini Der ; Martino, João Antonio
Source: Solid State Electronics. Unidade: EP
Subjects: NANOELETRÔNICA, DNA
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ABNT
MORI, Carlos Augusto Bergfeld et al. Signal to noise ratio in nanoscale bioFETs. Solid State Electronics, v. 194, p. 1-4, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108358. Acesso em: 11 jun. 2024.
APA
Mori, C. A. B., Martens, K., Simoen, E., Van Dorpe, P., Agopian, P. G. D., & Martino, J. A. (2022). Signal to noise ratio in nanoscale bioFETs. Solid State Electronics, 194, 1-4. doi:10.1016/j.sse.2022.108358
NLM
Mori CAB, Martens K, Simoen E, Van Dorpe P, Agopian PGD, Martino JA. Signal to noise ratio in nanoscale bioFETs [Internet]. Solid State Electronics. 2022 ; 194 1-4.[citado 2024 jun. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108358
Vancouver
Mori CAB, Martens K, Simoen E, Van Dorpe P, Agopian PGD, Martino JA. Signal to noise ratio in nanoscale bioFETs [Internet]. Solid State Electronics. 2022 ; 194 1-4.[citado 2024 jun. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108358
Trabalho de evento
Fabrication and electrical characterization of ISFET for H2O2 sensing (2022)
Duarte, Pedro Henrique; Rangel, Ricardo Cardoso; Ramos, Daniel Augusto; Yojo, Leonardo Shimizu; Mori, Carlos Augusto Bergfeld; Sasaki, Kátia Regina Akemi ; Agopian, Paula Ghedini Der ; Martino, João Antonio
Source: SBMICRO. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology. Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, PERÓXIDO DE HIDROGÊNIO
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ABNT
DUARTE, Pedro Henrique et al. Fabrication and electrical characterization of ISFET for H2O2 sensing. 2022, Anais.. Piscataway: IEEE, 2022. p. 1-4. Disponível em: https://www.doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881031. Acesso em: 11 jun. 2024.
APA
Duarte, P. H., Rangel, R. C., Ramos, D. A., Yojo, L. S., Mori, C. A. B., Sasaki, K. R. A., et al. (2022). Fabrication and electrical characterization of ISFET for H2O2 sensing. In SBMICRO (p. 1-4). Piscataway: IEEE. doi:10.1109/SBMICRO55822.2022.9881031
NLM
Duarte PH, Rangel RC, Ramos DA, Yojo LS, Mori CAB, Sasaki KRA, Agopian PGD, Martino JA. Fabrication and electrical characterization of ISFET for H2O2 sensing [Internet]. SBMICRO. 2022 ; 1-4.[citado 2024 jun. 11 ] Available from: https://www.doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881031
Vancouver
Duarte PH, Rangel RC, Ramos DA, Yojo LS, Mori CAB, Sasaki KRA, Agopian PGD, Martino JA. Fabrication and electrical characterization of ISFET for H2O2 sensing [Internet]. SBMICRO. 2022 ; 1-4.[citado 2024 jun. 11 ] Available from: https://www.doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881031
Dissertação (Mestrado)
Estudo comparativo do efeito de autoaquecimento em transistores FinFET e SOI UTBB (2018)
Mori, Carlos Augusto Bergfeld; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MORI, Carlos Augusto Bergfeld. Estudo comparativo do efeito de autoaquecimento em transistores FinFET e SOI UTBB. 2018. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2018. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04052018-103903/. Acesso em: 11 jun. 2024.
APA
Mori, C. A. B. (2018). Estudo comparativo do efeito de autoaquecimento em transistores FinFET e SOI UTBB (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04052018-103903/
NLM
Mori CAB. Estudo comparativo do efeito de autoaquecimento em transistores FinFET e SOI UTBB [Internet]. 2018 ;[citado 2024 jun. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04052018-103903/
Vancouver
Mori CAB. Estudo comparativo do efeito de autoaquecimento em transistores FinFET e SOI UTBB [Internet]. 2018 ;[citado 2024 jun. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04052018-103903/

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